下部電極であるPtとの高い選択性を持つPt/PZTエッチングプロセスを提供します。(選択比例:PZT/Pt>5@8inch, >10@6inch)
また下地の掘れ量を最小化する高均一性(<+/-3%@8inch)と精密な終点検出を提供します。
カテゴリー: MEMS
圧電MEMS向けPZT膜スパッタリング
世界最高水準のPZTスパッタ膜を安定成膜できます。(CMOS上成膜対応:PZT成膜温度 <500℃)
マルチチャンバー搭載で、PZT full stack(上下電極+PZT)を一貫成膜可能です。
圧電MEMSの製造プロセス
近年MEMSデバイス技術はますます進化し、各種センサー、アクチュエータに不可欠な存在になっています。 … 圧電MEMSの製造プロセス
電極形成のためのリフトオフ蒸着
高いリフトオフ性と高品質な膜を実現する蒸着技術を提供します。 … 電極形成のためのリフトオフ蒸着