技術開発の歴史

1952年 8月 会社設立と同時に、技術陣容に東大嵯峨根研究室から林主税、橋本光一、熊谷研究室から柴田英夫が加わる
1954年 11月 回転冷却器を開発
1957年 9月 国産100kg誘導加熱式真空溶解炉を開発
1959年 9月 科学技術庁原子力補助金による「ウランおよびウラン合金の真空溶解鋳造炉の研究」に成功
1961年 3月 小型拡散ポンプが科学技術庁長官奨励賞を受賞
通産省補助金による「60kW電子衝撃式真空溶解炉」完成
1962年 11月 超高真空バルブが科学技術庁長官奨励賞を受賞
1963年 11月 チタン鋳造バルブが工業技術院長賞を受賞
1965年 11月 東大宇宙研へ大型スペースチャンバを納入
1967年 3月 ライプチヒ国際見本市で低速電子回折装置が金賞受賞
1968年 11月 新事業開発事業団より委託された超電導マグネット用導線の開発に成功
12月 自動洩れ探しシステム(ALT)を開発
1969年 10月 国産第一号の低周波溶解脱ガス炉(25トン)完成
1970年 1月 マスフィルタ型の質量分析計を開発
2月 世界最大の大型可塑材プラントを完成
10月 高周波連続式スパッタリング装置を開発
1974年 1月 透明導電膜を開発
10月 世界最大の気相乾燥装置完成
12月 日本原子力研究所東海研究所へ納入の核融合実験装置の排気系完成
1975年 6月 国産第一号のイオン注入装置を開発
10月 米国IBM社からコンピュータ制御による全自動真空蒸着装置を大量受注
1976年 4月 イオン浸炭装置を開発
1978年 4月 水晶振動子および光学用薄膜製造装置の専門メーカーである株式会社昭和真空と提携
10月 カセットトゥカセットスパッタリング装置を開発
1979年 1月 プラズマCVD装置を開発
1980年 5月 全自動ヘリウムリークディテクタを開発
光化学スモッグチャンバを開発し、公害研究所へ納入、建設大臣から感謝状を受ける
9月 ロケット用超大型真空熱処理炉完成
1982年 2月 大電流型イオン注入装置IM-80Hを開発
1985年 3月 日本原子力研究所那珂研究所へ臨界プラズマ試験装置(JT-60)の真空排気システムを納入
11月 真空冶金(株)は、H-IIロケット用エンジンの心臓部であるTi合金鋳物エルボケーシングを納入
12月 世界初のマルチチャンバ型スパッタリング装置MCH-9000シリーズを発売
1987年 9月 メタルCVD装置「ERA-1000」がIR-100に入選、シカゴで表彰される
12月 (株)安川電機と共同で磁気浮上搬送系を開発
1988年 5月 超電導成膜用スパッタリング装置「SHシリーズ」を発売
10月 アッシング装置「UNA-2000」を開発
1989年 5月 低抵抗ITO膜用スパッタリング装置「SDPシリーズ」を開発
8月 筑波超材料研究所で「蒸着重合法による機能性高分子薄膜」を開発
1990年 1月 カナダ中央銀行が当社製の真空巻取蒸着装置を利用してニセ札防止用デバイス付き新50ドルを発行
1991年 12月 半導体製造用超高真空対応マルチチャンバ成膜装置CERAUSシリーズを発売
1993年 1月 脱フロン・エタン用真空脱脂洗浄装置を開発
5月 極・超高真空用高性能スパッタイオンポンプ「アクターポンプ」を発売
1993年 10月 極めて放出ガスの少ない極高真空用材料およびこれらの放出ガスを正確に測定する方法を開発
1994年 9月 次世代半導体プロセス用低圧ロングスロースパッタ(LTS)法を開発
1995年 2月 液晶ディスプレイパネル製造用スパッタリング装置「SMD-450」が、’94日経年間優秀製品賞を受賞
4月 富士裾野工場においてISO 9001の認証を取得
9月 ヘリウムリークディクタ「HELIOT 301」が「通産省選定・平成7年度グッドデザイン商品」に輝く
1996年 7月 次世代液晶ディスプレイパネル製造用イオン注入装置「IL-100」が、アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー’96優秀賞を受賞
1997年 4月 ヘリウムリークディクタ「HELIOT」が機械振興協会主催の第27回新機械開発賞を受賞
米国ラムトロン社と次世代半導体メモリであるFRAM の量産化に向けた強誘電体薄膜形成に関する共同開発契約を締結
5月 有機EL作成装置を3機種開発し販売を開始
7月 プラズマディスプレイ用「MgO膜蒸着装置ECHシリーズ」が第2回アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー’97グランプリを受賞
1998年 4月 NLDプラズマ源方式高密度エッチング装置「NLD-8000/800」を開発
規格品事業部がISO 9001認証取得
7月 電子機器事業本部、第1電子機器事業部、第2電子機器事業部および制御機器事業部・購買部・配送など関連部門がISO 9001認証取得
LCD製造用スパッタリング装置「SMD-850」が第3回アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー’98優秀賞を受賞
米国の半導体関連調査法人であるVLSI Research社より、「最も顕著な改善を行った装置サプライヤー」の評価を受ける
1999年 3月 超高真空事業部、制御機器事業部がISO 9001認証取得
4月 第2半導体事業部がISO 9001認証取得
米国ラムトロン社と「次世代強誘電体メモリ」の開発で全面提携
7月 第4回アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー’99で「低温ポリシリコンTFT生産用プラズマCVD装置CMD-450BHT」が装置部門でグランプリ受賞
次世代Cu配線のバリア膜形成用「マルチ・カソード・スパッタ(MCS)および「WN用CVD技術」を開発
米国の半導体関連調査法人、VLSI Research社から「1999年度の顧客満足度の優れた10社」に選ばれ2年連続の受賞
11月 産業機器事業部がISO 9001を取得、これにより全社の部署で同認証を取得完了
次世代Cu配線用スパッタ技術「セルフ・アイオナイズド・スパッタ(SIS)」を開発
300mmウェーハ対応で低価格・省スペースを実現した量産用メタライゼーション装置「ENTRON」を開発
2000年 4月 米国コダック社、三洋電機(株)と有機ELディスプレイ製造装置の開発で技術提携
7月 有機EL作製装置「SATELLA」が第5回アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー装置部門でグランプリを受賞
米国の半導体関連の調査法人、VLSI Research社から「2000年度の顧客満足度の優れた10社」に選ばれ、3年連続の受賞
8月 新型Low-K材料を発表
2001年 3月 省スペース、低価格を実現した大型液晶パネル用液晶注入・封止一貫装置を発表
7月 Cat-CVD法を利用した大型基板成膜装置を開発
2002年 3月 大面積高輝度平面ランプの開発
6月 可視光応答型光触媒膜作製装置および評価装置を発表
12月 バイアスモジュレーションSIS(Self Ionized Sputtering)法によるCu配線技術を発表
MRAM用TMR膜形成量産超高真空スパッタ装置を開発
アルミ(AI)CVD技術を用いたAI埋め込み技術を開発
2003年 1月 ドライポンプ省電力化アタッチメント「ECO-SHOCK」が(社)日本機械工業連合会の「第23回優秀省エネルギー機器日本機械工業連合会会長賞」を受賞
2月 次世代半導体向け Low-k 膜の販売及び委託成膜業務開始
5月 蒸着重合による抗菌性ポリイミド膜被覆技術を開発
5月 ドライポンプ省電力化アタッチメント「ECO-SHOCK」が「第3回日本真空工業会・日本工業新聞社社長賞」を受賞
8月 低温ポリシリコンTFT用固体グリーンレーザアニール装置を開発(三菱電機(株)が開発した「高出力200W固体グリーンレーザ発振器」を搭載)
11月 リソグラフィーなどMEMSの加工ラインを整備し、成膜・エッチングからダイシング・ボンディングまでの一貫ラインを立上げ、MEMSファンドリーサービスを開始
2004年 2月 米国JDSユニフェーズ社が特許を取得しているメタモード®スパッタリングと呼ばれている光学膜用スパッタリング技術に関するグローバルな専用実施権付ライセンス契約を締結
2005年 4月 新製品、液晶滴下・貼り合せ装置「Vシリーズ」、PDPパネル点灯試験装置「BMシリーズ」、アッシング装置「NA−1000/1300」、エッチング装置「ALBA」、ウェーハバンプ検査機「IS−300/3300」を発表
5月 世界初の基板上垂直かつ選択成長を可能にしたカーボンナノチューブ成長装置(半導体向)、とアーク方式カーボンナノチューブ(シングウォールタイプ)製造装置を発表
日本真空工業会第5回表彰で「低抵抗ITO透明導電膜の開発」がフジサンケイビジネスアイ社長賞、「真空装置製作にTi溶接法を用いての貢献」が技能賞を受賞
7月 当社技術高純度ガスのシールド法を搭載する多目的1室型真空熱処理装置(FHBシリーズ)を国内市場に投入
11月 パワーデバイス市場に新型イオン注入装置を2機種(SOPHI、IH‐860DSIC)投入
2006年 6月 スループット向上の鍵を握る最新作ダブルアーム型真空搬送ロボットULSTA‐300を発表
RoHS対応、小型化、高性能化を図った新型クロマトグラム取込器ChromatoDAQ IIを発表
7月 次世代LSI向け低比誘電率層間絶縁膜材料及び絶縁膜付きウエハの販売を開始
8月 ガス放出の少ないアルミニウム合金耐食処理法(スーパーアルピカ)を開発
9月 3層連続処理で高生産性、省スペース、環境対応を実現した自動車部品用新型スパッタリング装置の販売を開始
超低コスト化を実現、簡便性を追求した残留ガス分析計/プロセスガスモニタQulee(クリー)シリーズを発売
MEMS用PZT圧電素子作製技術を新たに開発
初期放電電流特性を高めたリニアイオンガンの販売を開始
長寿命対応の高周波(RF)イオンガンの販売を開始
10月 SiGeエピ膜を低温で成長する技術を開発
-SOIとソース/ドレインへの選択エピSiGe適用が可能-
最先端光学膜成膜装置を開発、販売展開
11月 分子間相互作用定量QCM装置「AFFINIX Qシリーズ」新機種の販売開始
AFFINIX QN(アフィニクスキューエヌ)
2007年 1月 超高真空対応新型スパッタ装置jsputter「JSP-8000」を販売開始
3月 NexPower Technology社が太陽電池市場に参入、アルバックが製造装置を一括受注
4月 ADY2007製造装置部門で「第8世代以降対応液晶CF/PDP用スパッタリング装置SDP-sシリーズ」がグランプリを受賞
6月 高集積PCRAM用成膜技術を新たに開発
-GST(Ge2 Sb2 Te5 )膜埋め込みスパッタリングを実現-
8月 Sunner Solar Corporationが太陽電池業界に参入、アルバックが製造装置を一括受注
次世代HDD用磁気ヘッドの作製プロセス技術を開発
9月 日本真空工業会表彰にて「有機EL生産装置の開発」が会長賞を、「真空機器溶接技術の確立」が技能賞を受賞
10月 China Solar Powerが中国の薄膜太陽電池市場に参入、アルバックとStrategic Allianceを結ぶ
11月 従来比5倍の生産性を持つLED・LD向け量産専用ドライエッチング装置「NE-950」を販売開始
2008年 1月 高スループット、安定プロセスを実現した、第8.5〜10世代CF基板対応新型インラインスパッタリング装置の受注を開始
2月 酸素混合スパッタにより密着性・バリア性が改善された、TFT向けCu配線プロセスを開発
3月 φ300mmウェハ対応カーボンナノチューブ成膜装置を開発
世界最高グレードの希土類永久磁石の大量生産と、世界初の省Dy型磁石性能向上を実現した「マグライズ(Magrise)」の販売を開始
4月 第13回 アドバンスト ディスプレイ オブ ザ イヤー製造装置部門で有機ELディスプレイ用インライン製造装置「ZELDA-IL」が優秀賞を受賞
カラーリフレクター用真空蒸着装置「EBH-800」の販売を開始
5月 メタリック不導体成膜用スパッタリング装置装置新シリーズの販売を開始
7月 遠心式真空蒸留装置「CEH-400BII」の販売を開始
11月 LED向け量産専用ドライエッチング装置「NE-950EX」の販売を開始
12月 世界初の薄膜リチウム二次電池一貫量産技術を開発
高生産性を実現したレジスト/残渣除去対応装置「ENVIROTM-Xceed400」の販売を開始
テュフラインランドジャパンとの協力で合意し、装置メーカーとして世界で初めて太陽電池用評価試験設備を新設
超高・極高真空雰囲気での測定を可能にした世界最高感度の残留ガス分析計 / プロセスガスモニタ「Qulee(クリー)シリーズ HGM-202」の発売を開始
2009年 1月 アルバックの「薄膜太陽電池一貫製造ライン」が「2008年日経優秀製品・サービス賞 最優秀賞 日本経済新聞賞」を受賞
2010年 6月 日本で初めて真空計JCSS校正事業者として登録
7月 SABICイノベーティブプラスチックの子会社とプラズマコーティング技術の量産化で技術提携
10月 株式会社オプトランと光学薄膜用成膜装置販売で業務提携
2011年 2月 太陽光電池を活用したEV用急速充電システムで「第1回かながわ地球温暖化対策大賞」を受賞
5月 90ºCのお湯で3kW級の発電が可能な高効率可搬小型発電システムを開発
7月 韓国での研究開発強化のため、ULVAC KOREA, Ltd. の付属研究所として韓国超材料研究所を設立。
10月 インド HVV Pumps 社と販売代理店契約を締結
2012年 6月 アルバック三次元構造デバイス向けシリサイドプロセス用成膜装置「ENTRON-EX2 W300 CVD-Ni/CVD-Co」が半導体産業新聞主催の「半導体・オブ・ザ・イヤー2012」半導体製造装置優秀賞を受賞
2013年 9月 産総研、富士電機と連名で「第11回産学官連携功労者表彰 日本経済団体連合会会長賞」を受賞
2015年 4月 Robert Bosch GmbHとMEMS用 PZT圧電素子デバイスの共同開発で基本合意
7月 未来技術研究所を設立