Top > 装置 > 枚葉式プラズマCVD装置
CMD シリーズ

枚葉式プラズマCVD装置
CMD シリーズ

For more Information

cmd

CMDシリーズはSiH4やTEOSを用いたa-Si膜、シリコン酸化膜、窒化膜成膜用枚葉式CVD装置です。

特長

  • 従来のプロセス温度に比べ、より高温でも動作可能な各ユニットの駆動系、真空搬送ロボットの開発により安定した搬送系を実現しました。
  • 反応室内部構造、ガス供給システムの改良により TEOS(SiO2)膜の長期的に安定したレートを得ることができます。
  • 反応ガス経路の加熱化により除外設備までガス状態で排気でき、配管トラップ未使用にて配管等に副生成物の付着を抑制し、メンテナンス時間の短縮が可能になりました。
  • 成膜条件など基板個別管理が容易にできます。

用途

  • 低温P-Si、α-Si TFT

仕様

  CMD-450BHT CMD-650HT CMD-950 CMD-1500 CMD-1800
基板サイズ(mm) 400 × 500 × t0.7 600 × 720 × t0.7 730 × 920 × t0.7〜0.5 1300 × 1500 × t0.7〜0.4 1500 × 1800 × t0.7〜0.4



1)仕込取出室 2室
2)加熱室 1室
3)反応室 4室
(アニール室が
ある場合3室)
5室
(アニール室が
ある場合4室)
4)搬送室 1室(7角形) 1室(8角形) 1室(7角形)
5)真空排気系
・仕込取出室
・反応室
ロータリー+メカブ
ドライ+メカブ
ドライ+メカブ
6)基板移載機 オプション
生産量 65秒/枚
(当社標準条件
SiN 300nm単層)
75秒/枚
(当社標準条件
SiN 300nm単層)
加熱室無 : 65秒/枚
加熱室有 : 90秒/枚
(当社標準条件
SiN 300nm単層)

For more Information