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半導体プロセス(不揮発性メモリ)

様々なロジック・メモリデバイス向けに、スパッタリングやドライエッチングなど最先端テクノロジーを提供します。

スパッタリング・CVD

マルチチャンバ型スパッタリング装置
ENTRONTM-EX2 W300

entron_ex2w300

マルチチャンバ型スパッタリング装置ENTRONTM-EX2 W300は、多様なプロセスを結び付ける最新のプラットフォームです。
高生産性、省エネルギーを実現し、次々世代以降も対応可能な拡張性を誇るハイエンドモデルのスパッタリング装置です。
当社独自の技術による微細配線用の最先端PVD、CVD、ALDモジュール等、多彩なラインナップでお客様のニーズにお応えします。

マルチチャンバ型スパッタリング装置
MagestTM S200

magest

MagestTM S200は、理想的環境(超高真空)下で極薄膜の多層膜およびCoスパッタリング(最大3元/室)による合金の成膜を行うことができるマルチチャンバ型スパッタリング装置です。RF、DC利用でほとんどの材料の成膜が可能です。

エッチング

研究開発向け 高密度プラズマエッチング装置
NE-550EX

NE-550H

研究開発向け高密度プラズマエッチング装置NE-550EXは、有磁場ICP(ISM=Inductively Super Magnetron)方式の高密度プラズマエッチング装置、枚葉式でLL室を標準装備し、コンパクト・低価格を実現しました。

高密度プラズマドライエッチング装置
ULHITETM NE-7800H

NE7800

高密度プラズマドライエッチング装置ULHITETM NE-7800HはFeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAMなどに用いられる難エッチング材料(強誘電体、貴金属、磁性膜等)のエッチングに対応したマルチチャンバー型の低圧・高密度プラズマエッチング装置です。