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ENTRONTM N300

マルチチャンバ型装置
ENTRONTM N300

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entron-n300

マルチチャンバ型装置ENTRONTM N300は、適切な投資効率を実現するジャストフィット装置です。PVD、CVDだけでなく、NVM用エッチングも搭載が可能です。ENTRONシリーズは、最上位機種EX2と合わせたラインナップ拡張により、お客様の多様なニーズに的確にお応えします。

特長

  • ミニマムでフレキシブルなモジュール構成が可能
  • PVDとCVD、ALD及びNVM用エッチング等最新技術も搭載可能
  • Cu配線やバリアメタル、UBM、TSV、CMOSイメージセンサ、NVM用エッチング等多彩なアプリケーションに対応
  • シングルコアクラスター思想で6室のプロセスモジュール搭載可能
  • 環境への配慮
    各種省エネルギー機能を標準搭載し、従来比40%の省エネを実現
  • 次世代半導体Fabに適合した制御システム
    薄膜制御性に優れ、EES対応も可能。最先端Fabの自動化に適合

用途

  • 最先端半導体メモリ(DRAM、Flashメモリ)
  • 最先端半導体ロジック
  • 次世代不揮発性メモリ(成膜、エッチング)
  • UBM、TSV、パワーデバイス
  • CMOSイメージセンサ

仕様

  ENTRON N300

装置構成

搬送室

大気ウエハ移載機+8角形真空搬送室

モジュール

L/UL室2+最大5プロセス室+1デガスor冷却室

基板寸法

Φ300㎜ or Φ200㎜

搬送ロボット

デュアルアーム高真空搬送ロボット<ELEC-RZ>

制御系

FA-PC制御(Cluser Tool controller)

排気系

主排気

LL室:専用ドライポンプ
搬送室:クライオポンプ or TMP+トラップ or ドライポンプ
プロセス室:クライオポンプ or TMP(+トラップ)

粗引き

粗引き用ドライポンプ、TMPフォア用ドライポンプ

対応プロセス

スパッタ

スパッタダウン方式/回転磁石カソード:コンベンショナル、LTS、SIS、HiCIS、マルチカソード

プリクリーン

ICPプリエッチング、水素アニール、CDT

CVD/ALD

FEOL、BEOL、NVM用CVD、CDT

NVM用エッチング

NVM用高温、常温エッチング、ポストトリートメント

搭載可能プロセスガス系統

PVD:最大4系統、CVD:最大14系統、Etcher:最大11系統

スループット

メカニカルスループット:80wph(2回搬送)

到達圧力

Load lock

10Pa以下

Transfer

PVD:1.0×10E-4Pa以下/ETCHER:10Pa以下

Module

PVD:3.0×10E-6Pa以下/ETCHER:6.7E-4Pa以下

膜厚/エッチング分布*1

Φ300㎜基板内 ±5%以内

プロセス温度

R.T~450℃

電気

50Hz/60Hz、3Φ、200V

冷却水

0.3~0.5MPa、温度20~25℃、
チラー用:120L/min
He Compressor用:15L/min
DRP用:3L/min×n台分

所要ガス

プロセス用Gas各種:0.1~0.3MPa
ベント用 N2:0.2~0.7MPa
ドライポンプ用 N2:0.2~0.7MPa

圧空

0.5~0.7MPa

省エネルギー機能

標準搭載

接地工事

A種

オプション

LTS/SIS/マルチカソード/CVD/ALD/NVM:エッチャーモジュール選択搭載可能
RGA:Qulee
EES:EDPMS(Equipment Engineering Systtem)

*1 性能は膜種により異なります。

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