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高エネルギー対応のイオン注入装置SOPHI-400

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SOPHI-400

Max2400KeVまで対応可能な高エネルギーのイオン注入装置です。

特長

  • 枚葉式
  • 薄Wafer対応
  • パラレルビーム

用途

  • パワーデバイス等の薄型基板プロセス、IGBTプロセス

仕様

  • 基板サイズ:Max200mm
  • 最大電圧:2400 keV

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