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低加速・高濃度対応のイオン注入装置SOPHI-30

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SOPHI-30

低加速・高濃度対応のイオン注入装置です。

特長

  • 枚葉式
  • 薄Wafer対応
  • 非質量分離機
    *非質量分離機の対比メリット
    1)低加速・高濃度対応のハイスループットイオン注入装置
    2)従来より約半額の低価格
    3)装置占有面積が従来より1/3のコンパクト設計

用途

  • パワーデバイス等の薄型基板プロセス、IGBTプロセス

仕様

  • 基板サイズ:Max200mm

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