スパッタリング装置ロードロック式

枚葉式複合モジュール型
成膜加工装置uGmni-200, 300

スパッタリング、エッチングなど複数の異なるプロセスモジュールを同一搬送コアに搭載し、可能な限り構成部品の共通化を行い、スペア部品の低減や同一操作画面による使い勝手向上など、電子部品の製造工程において更なる効率化を実現いたします。

特長

以下一例です。

*各プロセス室の一例です。
以下限りではなく、ご相談可能です。仕様によっては下記数値が異なります。

	到達圧力	ステージ温度	面内分布（参考値）	成膜、加工又は応用例	プラズマ源
スパッタ	6.7E-5Pa以下	冷却（冷却性能別途協議）～700度	±1～5%	金属、誘電膜、絶縁膜	DC
					Pulse DC
					RF
エッチャー	1.0E-3Pa以下	-20～200度	±5%以下	金属、誘電膜、絶縁膜、Si系	CCP
					ISM (Inductively Super Magnetron、当社特許)
					NLD (Neutral Loop Discharge、当社特許）
アッシャー	0.7Pa以下	50～250度	±5%	Descum、Desmear,　犠牲層除去、表面改質、PR除去、PI加工	Microwave
		20～80度			Microwave+CCP
PE-CVD	2Pa以下	60～400度	±1%以下	絶縁膜（SiNx,SiOx)	Anode coupling
					Dual Frequency

さまざまなモジュールが搭載可能（以下一例です）

※プロセスによって組合せ不可の場合がありますので、ご相談ください。