枚葉式複合モジュール型成膜加工装置Gemini-200,300|スパッタリング装置|ロードロック式|製品紹介|アルバック
スパッタリング装置 ロードロック式

枚葉式複合モジュール型
成膜加工装置Gemini-200,300

スパッタリング、エッチングなど複数の異なるプロセスモジュールを同一搬送コアに搭載し、可能な限り構成部品の共通化を行い、スペア部品の低減や同一操作画面による使い勝手向上など、電子部品の製造工程において更なる効率化を実現いたします。

特長

  • スパッタリング、エッチング、アッシング、CVDなど複数のプロセス室の組合せが可能
  • 全プロセス室アルバック製
  • Φ300㎜基板まで対応可

用途

以下一例です。

  • パワーデバイス  シード&メタル層形成スパッタ
  • MEMSセンサー  PZT成膜&加工エッチング
  • 光学デバイス   VCSEL加工エッチング
  • 高密度実装    Descumアッシング
  • 通信デバイス   絶縁膜成膜&加工PE-CVD

仕様

*各プロセス室の一例です。
以下限りではなく、ご相談可能です。仕様によっては下記数値が異なります。

到達圧力 ステージ
温度
面内分布
(参考値)
成膜、加工又は応用例 プラズマ源
スパッタ 6.7E-5Pa以下 冷却(冷却性能別途協議)~700度 ±1~5% 金属、誘電膜、絶縁膜 DC
Pulse DC
RF
エッチャー 1.0E-3Pa以下 -20~200度 ±5%以下 金属、誘電膜、絶縁膜、Si系 CCP
ISM
(Inductively Super Magnetron、当社特許)
NLD
(Neutral Loop Discharge、当社特許)
アッシャー 0.7Pa以下 50~250度 ±5% Descum、Desmear, 犠牲層除去、表面改質、PR除去、PI加工 Microwave
20~80度 Microwave+CCP
PE-CVD 2Pa以下 60~400度 ±1%以下 絶縁膜(SiNx,SiOx) Anode coupling
Dual Frequency

装置構成例

さまざまなモジュールが搭載可能(以下一例です)

gemini_core.png

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