PlasmaPro 100 ALE

次世代の半導体デバイスを実現するため、薄膜がより薄くなるにつれて、薄膜層をより高精度に制御するプロセス制御技術が必要になっています。PlasmaPro 100 ALEは、下記のような特別なハードウェアで、これ実現しています:

  • 高精度に制御したガス注入
  • 低RF出力供給と優れた再現性
  • 高速PLCによる高速スイッチング

これらの要素により、原子スケールの高精度エッチングが可能となります。

  • 概要
  • アプリケーション

PlasmaPro 100シリーズは多くの実績を持ち、90%以上の稼働率および、ウェハー装入時の迅速な立ち上がりとプロセス実行を実現します。PlasmaPro 100シリーズは、MEMSやセンサー、オプトエレクトロニクス、ディスクリート、ナノ技術を含む、多様な市場に適用します。研究開発用としての柔軟性を持つとともに、生産としてのニーズにも対応できる構造を備えています。

PlasmaPro 100 ALE には次の特長があります。

  • 優れたエッチング深さ制御
  • 滑らかなエッチング表面
  • 低ダメージプロセス
  • デジタル/サイクル・エッチングプロセス-ALDと同様のサイクル毎のエッチング
  • 高選択性
  • 最大200mmのウェハー処理が可能
  • 高アスペクト比エッチングプロセス
  • ナノスケール層のエッチング
  • III-V族のエッチング
  • 固体レーザー(SSL)の InPエッチング
  • VCSEL GaAs/AlGaAsのエッチング
  • RF device low damage GaN etch
  • ボッシュプロセスとクライオエッチング
  • DLCの成膜
  • SiO2と石英のエッチング
  • フォトニクス、誘電体層、パッシベーションおよび他の様々な用途向けのSiNおよびSiO2の高品質なPECVDプロセス
  • 高輝度LED生産用ハードマスク成膜とエッチング