PACE. PERFORMANCE. PLASMA.

Atomfabは、GaNパワーおよびRFデバイスのためのハイレート、
低ダメージ、低CoOを備えた量産用プラズマALDシステムです。

PACE

Atomfabは市場で最速のリモートプラズマ生成ALDシステムです。

生産ニーズに対応するソリューションを提供します。

  • 優れたCoO
  • 迅速で容易なメンテナンス
  • 優れた膜均一性
  • 高品質材料
  • 低基板ダメージ
  • サイクル時間の短縮、高いスループット
  • クラスタ化が可能な自動ウエハ処理

※日本国外からのお問合せ、またはOxford InstrumentsのプラズマテクノロジーのALD、ALE以外の問い合わせはOxford Instrumentsにお問合せ下さい。

特性

AtomfabのALDテクノロジーは、センシティブな基板構造への保護膜の成膜を実現するため、
また、ナノレベルの高度なアプリケーション向けに精密に制御され、極薄膜の成膜を実現します。

パワーとRFデバイスの保護膜へのプロセス・メリット

  • エンジニアによる保証されたプロセス
  • 追加/新規プロセスのライフタイムプロセスサポート
  • 低ダメージプラズマプロセス
  • 低コンタミ、高品質成膜
  • 低パーティクル
  • 高スループットを可能にする短いプラズマ照射時間
  • プラズマ表面前処理

GaN、パワーおよびRFデバイス用プラズマALDのメリット

  • プラズマ前処理で界面品質を向上
  • 低ダメージ、均一な成膜
  • 0から30eVのイオンエネルギーに制御可能なリモートプラズマALD
  • ALDパッシベーション(Al2O3膜によるゲート誘電膜)

GaN HEMTs

リモートプラズマにより改善されたスループットと均一性が生産に適しています。

PLASMA

画期的なプラズマソースを備えたAtomfabは、原子層スケールのプロセス専用に設計された特許出願中のリモートソースを使用しています。

  • デバイス性能を最適化するためセンシティブな基板への低ダメージを実現
  • 均一なプラズマ照射、成膜サイクルの高速化
  • 特許出願中のAtomic Matching Unitによって可能となる短いプラズマ照射時間(250ミリ秒)
  • 高いスループットを得るための短いプラズマ照射時間(80ミリ秒)
  • 再現性の高いプラズマ照射時間とと低い反射電力制御により高い歩留まりを実現
Plasma ALD Al2O3 at 300 °C Specification
基板内膜厚均一性 <±1.0%
基板間膜厚均一性の信頼性 <±1.0%
ブレークダウン ボルテージ ≥7.0 MV/cm

Atomfab MMX System – Front View

Atomfab Close-Up Side View

Atomfab MX600 Cluster System

Atomfab System – Doors Open

Atomfab MMX – Open MMX