RFソリューション

ワイドバンドギャップ(WBG)デバイスは、今日多くのデバイス技術に採用され、優れたRF性能を実現する事ができます。アンテナ基地局は、顧客からの大量のデータ伝送ををするために、高出力で動作する高速スイッチングデバイスを必要とします。また、人口増加に伴い、エネルギーの創出、分散、回収に関する新しい技術が必要となります。GaN HEMTのような半導体技術が、電気自動車などのクリーン技術や、基地局間通信などの通信用途におけるエネルギー消費を向上するために使われています。

化合物半導体ベースのRFデバイス用プロセス

オックスフォード・インストゥルメンツは、化合物半導体をベースとするRFデバイスに適した、広範囲な研究及び製造する装置を用意しています。

  • 当社の原子層堆積(ALD)プロセスは、GaN/AlGaNの優れたパッシベーション膜の形成により、しきい値電圧の変動を低減します。
  • パワー半導体デバイス用GaNエッチングプロセスはプラズマダマージを低減、スムーズなエッチングプロファイルを実現する様に最適化されています。

※日本国外からのお問合せ、またはOxford InstrumentsのプラズマテクノロジーのALD、ALE以外の問い合わせはOxford Instrumentsにお問合せ下さい。

ATOMFAB ALD SYSTEM

AtomfabはALDシステム技術における当社の最新の革新技術であり、GaNパワーおよびRFデバイス用の高速、低ダメージ、低CoOのプラズマALD処理を提供します。

  • 優れた膜厚均一性
  • 低板への低ダメージ
  • 優れたCoO

詳細はこちら