SiC & GaN パワーデバイス

効率的パワースイッチングデバイスおよび電力変換装置が、電気自動車や地域の発電、ネットワークの配線などの新しい技術を実現するために用いられています。SiCやGaNのような材料の活用により、デバイス性能の向上により、エネルギー損失の減少に貢献します。オックスフォード・インストゥルメンツは、原子層堆積(ALD)のようなプロセス・ソリューションにより、最適化されたデバイスを作製するための豊富なノウハウを持っています。

※日本国外からのお問合せ、またはOxford InstrumentsのプラズマテクノロジーのALD、ALE以外の問い合わせはOxford Instrumentsにお問合せ下さい。

ATOMFAB ALD SYSTEM

AtomfabはALDシステム技術におけるオックスフォード・インストゥルメンツの最新の革新技術であり、GaNパワーおよびRFデバイス用の高速、低ダメージ、低CoOのプラズマALD処理を提供します。

  • 優れた膜均一性
  • 基板の低ダメージ
  • 優れたCoO

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