건식 에칭 장치
Model：uGmni-200E
1 챔버에서 멀티 챔버에 대응하고 비용 성능을 중시한 확장성이 있는 건식 에칭 장치 입니다.
특징
- RF 투입창의 데포물 부착 방지용 「스타 전극」을 탑재. 가열 기능으로 재현성과 안정성 향상
- ISM-duo(옵션)에 의해 균일 제어가 가능(내외주 분리형 안테나에 RF 분배 비율에 따름)
- 당사 대비 2배의 가스 유량이 대응 가능한 프로세스실(옵션)
- 프로세스실의 고온 가열도 선택이 가능
- 추가 에칭 챔버, 애싱 챔버가 탑재 가능
- 애싱 챔버는 금속 에칭 후의 콜로전 방지 Corrosion방지 위해 가열 스테이지에서의 마이크로파수 플라즈마 처리가 선택 가능
- 장비 구조가 간단하고 유지보수가 용이
- 더미 전용 카세트나 얼라이너 메커니즘 얼라이너 기구 추가가 가능, 양산 툴로서 다양한 프로세스에 대응이 가능
- 재생 세척, 부품 제공, 유지 보수, 교육 서비스 등 종합적인 백업 시스템 제공
용도
- 화합물(LED, LD, VCESL, 고주파 디바이스, 통신 디바이스) 및 파워 디바이스(IGBT 배선 가공, SiC 가공)
- 금속 배선이나 층간 절연막), 게이트 전극 가공 공정
- 강유전체 재료 및 귀금속 에칭
- 자성체 재료
