1952年
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8月
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会社設立と同時に、技術陣容に東大嵯峨根研究室から林主税、橋本光一、熊谷研究室から柴田英夫が加わる
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1954年
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11月
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回転冷却器を開発
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1957年
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9月
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国産100kg誘導加熱式真空溶解炉を開発
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1959年
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9月
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科学技術庁原子力補助金による「ウランおよびウラン合金の真空溶解鋳造炉の研究」に成功
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1961年
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3月
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小型拡散ポンプが科学技術庁長官奨励賞を受賞
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通産省補助金による「60kW電子衝撃式真空溶解炉」完成
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1962年
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11月
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超高真空バルブが科学技術庁長官奨励賞を受賞
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1963年
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11月
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チタン鋳造バルブが工業技術院長賞を受賞
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1965年
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11月
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東大宇宙研へ大型スペースチャンバを納入
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1967年
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3月
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ライプチヒ国際見本市で低速電子回折装置が金賞受賞
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1968年
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11月
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新事業開発事業団より委託された超電導マグネット用導線の開発に成功
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12月
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自動洩れ探しシステム（ALT）を開発
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1969年
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10月
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国産第一号の低周波溶解脱ガス炉（25トン）完成
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1970年
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1月
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マスフィルタ型の質量分析計を開発
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2月
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世界最大の大型可塑材プラントを完成
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10月
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高周波連続式スパッタリング装置を開発
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1974年
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1月
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透明導電膜を開発
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10月
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世界最大の気相乾燥装置完成
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12月
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日本原子力研究所東海研究所へ納入の核融合実験装置の排気系完成
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1975年
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6月
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国産第一号のイオン注入装置を開発
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10月
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米国IBM社からコンピュータ制御による全自動真空蒸着装置を大量受注
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1976年
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4月
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イオン浸炭装置を開発
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1978年
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10月
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カセットトゥカセットスパッタリング装置を開発
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1979年
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1月
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プラズマCVD装置を開発
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1980年
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5月
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全自動ヘリウムリークディテクタを開発
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光化学スモッグチャンバを開発し、公害研究所へ納入、建設大臣から感謝状を受ける
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9月
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ロケット用超大型真空熱処理炉完成
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1982年
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2月
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大電流型イオン注入装置IM-80Hを開発
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1985年
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3月
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日本原子力研究所那珂研究所へ臨界プラズマ試験装置（JT-60）の真空排気システムを納入
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11月
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真空冶金（株）は、H-IIロケット用エンジンの心臓部であるTi合金鋳物エルボケーシングを納入
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12月
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世界初のマルチチャンバ型スパッタリング装置MCH-9000シリーズを発売
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1987年
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9月
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メタルCVD装置「ERA-1000」がIR-100に入選、シカゴで表彰される
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12月
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（株）安川電機と共同で磁気浮上搬送系を開発
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1988年
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5月
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超電導成膜用スパッタリング装置「SHシリーズ」を発売
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10月
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アッシング装置「UNA-2000」を開発
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1989年
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5月
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低抵抗ITO膜用スパッタリング装置「SDPシリーズ」を開発
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8月
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筑波超材料研究所で「蒸着重合法による機能性高分子薄膜」を開発
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1990年
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1月
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カナダ中央銀行が当社製の真空巻取蒸着装置を利用してニセ札防止用デバイス付き新50ドルを発行
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1991年
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12月
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半導体製造用超高真空対応マルチチャンバ成膜装置CERAUSシリーズを発売
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1993年
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1月
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脱フロン・エタン用真空脱脂洗浄装置を開発
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5月
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極・超高真空用高性能スパッタイオンポンプ「アクターポンプ」を発売
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1993年
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10月
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極めて放出ガスの少ない極高真空用材料およびこれらの放出ガスを正確に測定する方法を開発
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1994年
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9月
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次世代半導体プロセス用低圧ロングスロースパッタ（LTS）法を開発
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1995年
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2月
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液晶ディスプレイパネル製造用スパッタリング装置「SMD-450」が、’94日経年間優秀製品賞を受賞
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4月
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富士裾野工場においてISO 9001の認証を取得
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9月
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ヘリウムリークディクタ「HELIOT 301」が「通産省選定・平成7年度グッドデザイン商品」に輝く
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1996年
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7月
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次世代液晶ディスプレイパネル製造用イオン注入装置「IL-100」が、アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー’96優秀賞を受賞
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1997年
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4月
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ヘリウムリークディクタ「HELIOT」が機械振興協会主催の第27回新機械開発賞を受賞
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米国ラムトロン社と次世代半導体メモリであるFRAM の量産化に向けた強誘電体薄膜形成に関する共同開発契約を締結
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5月
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有機EL作成装置を3機種開発し販売を開始
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7月
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プラズマディスプレイ用「MgO膜蒸着装置ECHシリーズ」が第2回アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー’97グランプリを受賞
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1998年
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4月
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NLDプラズマ源方式高密度エッチング装置「NLD-8000/800」を開発
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規格品事業部がISO 9001認証取得
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7月
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電子機器事業本部、第1電子機器事業部、第2電子機器事業部および制御機器事業部・購買部・配送など関連部門がISO 9001認証取得
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LCD製造用スパッタリング装置「SMD-850」が第3回アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー’98優秀賞を受賞
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米国の半導体関連調査法人であるVLSI Research社より、「最も顕著な改善を行った装置サプライヤー」の評価を受ける
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1999年
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3月
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超高真空事業部、制御機器事業部がISO 9001認証取得
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4月
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第2半導体事業部がISO 9001認証取得
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米国ラムトロン社と「次世代強誘電体メモリ」の開発で全面提携
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7月
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第4回アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー’99で「低温ポリシリコンTFT生産用プラズマCVD装置CMD-450BHT」が装置部門でグランプリ受賞
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次世代Cu配線のバリア膜形成用「マルチ・カソード・スパッタ（MCS）および「WN用CVD技術」を開発
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米国の半導体関連調査法人、VLSI Research社から「1999年度の顧客満足度の優れた10社」に選ばれ2年連続の受賞
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11月
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産業機器事業部がISO 9001を取得、これにより全社の部署で同認証を取得完了
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次世代Cu配線用スパッタ技術「セルフ・アイオナイズド・スパッタ（SIS）」を開発
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300mmウェーハ対応で低価格・省スペースを実現した量産用メタライゼーション装置「ENTRON」を開発
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2000年
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4月
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米国コダック社、三洋電機（株）と有機ELディスプレイ製造装置の開発で技術提携
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7月
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有機EL作製装置「SATELLA」が第5回アドバンスト・ディスプレイ・オブ・ザ・イヤー装置部門でグランプリを受賞
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米国の半導体関連の調査法人、VLSI Research社から「2000年度の顧客満足度の優れた10社」に選ばれ、3年連続の受賞
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8月
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新型Low-K材料を発表
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2001年
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3月
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省スペース、低価格を実現した大型液晶パネル用液晶注入・封止一貫装置を発表
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7月
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Cat-CVD法を利用した大型基板成膜装置を開発
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2002年
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3月
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大面積高輝度平面ランプの開発
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6月
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可視光応答型光触媒膜作製装置および評価装置を発表
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12月
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バイアスモジュレーションSIS（Self Ionized Sputtering）法によるCu配線技術を発表
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MRAM用TMR膜形成量産超高真空スパッタ装置を開発
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アルミ（AI）CVD技術を用いたAI埋め込み技術を開発
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2003年
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1月
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ドライポンプ省電力化アタッチメント「ECO-SHOCK」が（社）日本機械工業連合会の「第23回優秀省エネルギー機器日本機械工業連合会会長賞」を受賞
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5月
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蒸着重合による抗菌性ポリイミド膜被覆技術を開発
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8月
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低温ポリシリコンTFT用固体グリーンレーザアニール装置を開発（三菱電機（株）が開発した「高出力200W固体グリーンレーザ発振器」を搭載）
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11月
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リソグラフィーなどMEMSの加工ラインを整備し、成膜・エッチングからダイシング・ボンディングまでの一貫ラインを立上げ、MEMSファンドリーサービスを開始
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2004年
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2月
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米国JDSユニフェーズ社と新たにライセンス契約を締結
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2005年
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4月
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新製品、液晶滴下・貼り合せ装置「Vシリーズ」、PDPパネル点灯試験装置「BMシリーズ」、アッシング装置「NA−1000／1300」、エッチング装置「ALBA」、ウェーハバンプ検査機「IS−300／3300」を発表
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5月
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世界初の基板上垂直かつ選択成長を可能にしたカーボンナノチューブ成長装置（半導体向）、とアーク方式カーボンナノチューブ（シングウォールタイプ）製造装置を発表
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日本真空工業会第5回表彰で「低抵抗ITO透明導電膜の開発」がフジサンケイビジネスアイ社長賞、「真空装置製作にTi溶接法を用いての貢献」が技能賞を受賞
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7月
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当社技術高純度ガスのシールド法を搭載する多目的1室型真空熱処理装置（FHBシリーズ）を国内市場に投入
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11月
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パワーデバイス市場に新型イオン注入装置を2機種（SOPHI、IH‐860DSIC）投入
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2006年
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6月
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スループット向上の鍵を握る最新作ダブルアーム型真空搬送ロボットULSTA‐300を発表
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RoHS対応、小型化、高性能化を図った新型クロマトグラム取込器ChromatoDAQ IIを発表
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7月
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次世代LSI向け低比誘電率層間絶縁膜材料及び絶縁膜付きウエハの販売を開始
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8月
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ガス放出の少ないアルミニウム合金耐食処理法（スーパーアルピカ）を開発
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9月
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3層連続処理で高生産性、省スペース、環境対応を実現した自動車部品用新型スパッタリング装置の販売を開始
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超低コスト化を実現、簡便性を追求した残留ガス分析計/プロセスガスモニタQulee(クリー)シリーズを発売
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MEMS用PZT圧電素子作製技術を新たに開発
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初期放電電流特性を高めたリニアイオンガンの販売を開始
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長寿命対応の高周波(RF)イオンガンの販売を開始
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10月
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SiGeエピ膜を低温で成長する技術を開発
-SOIとソース/ドレインへの選択エピSiGe適用が可能-
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最先端光学膜成膜装置を開発、販売展開
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11月
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分子間相互作用定量QCM装置「AFFINIX Qシリーズ」新機種の販売開始
AFFINIX QN（アフィニクスキューエヌ）
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2007年
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1月
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超高真空対応新型スパッタ装置jsputter「JSP-8000」を販売開始
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3月
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NexPower Technology社が太陽電池市場に参入、アルバックが製造装置を一括受注
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4月
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ADY2007製造装置部門で「第8世代以降対応液晶CF/PDP用スパッタリング装置SDP-sシリーズ」がグランプリを受賞
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6月
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高集積PCRAM用成膜技術を新たに開発
-GST（Ge2 Sb2 Te5 ）膜埋め込みスパッタリングを実現-
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8月
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Sunner Solar Corporationが太陽電池業界に参入、アルバックが製造装置を一括受注
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次世代HDD用磁気ヘッドの作製プロセス技術を開発
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9月
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日本真空工業会表彰にて「有機EL生産装置の開発」が会長賞を、「真空機器溶接技術の確立」が技能賞を受賞
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10月
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China Solar Powerが中国の薄膜太陽電池市場に参入、アルバックとStrategic Allianceを結ぶ
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11月
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従来比5倍の生産性を持つLED・LD向け量産専用ドライエッチング装置「NE-950」を販売開始
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2008年
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1月
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高スループット、安定プロセスを実現した、第8.5〜10世代CF基板対応新型インラインスパッタリング装置の受注を開始
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2月
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酸素混合スパッタにより密着性・バリア性が改善された、TFT向けCu配線プロセスを開発
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3月
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φ300mmウェハ対応カーボンナノチューブ成膜装置を開発
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世界最高グレードの希土類永久磁石の大量生産と、世界初の省Dy型磁石性能向上を実現した「マグライズ(Magrise)」の販売を開始
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4月
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第13回 アドバンスト ディスプレイ オブ ザ イヤー製造装置部門で有機ELディスプレイ用インライン製造装置「ZELDA-IL」が優秀賞を受賞
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カラーリフレクター用真空蒸着装置「EBH-800」の販売を開始
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5月
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メタリック不導体成膜用スパッタリング装置装置新シリーズの販売を開始
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7月
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遠心式真空蒸留装置「CEH-400BII」の販売を開始
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11月
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LED向け量産専用ドライエッチング装置「NE-950EX」の販売を開始
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12月
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世界初の薄膜リチウム二次電池一貫量産技術を開発
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高生産性を実現したレジスト/残渣除去対応装置｢ENVIROTM-Xceed400｣の販売を開始
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テュフラインランドジャパンとの協力で合意し、装置メーカーとして世界で初めて太陽電池用評価試験設備を新設
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超高・極高真空雰囲気での測定を可能にした世界最高感度の残留ガス分析計 / プロセスガスモニタ「Qulee（クリー）シリーズ HGM-202」の発売を開始
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2009年
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1月
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アルバックの「薄膜太陽電池一貫製造ライン」が「2008年日経優秀製品・サービス賞 最優秀賞 日本経済新聞賞」を受賞
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