プラズマダメージ耐性を向上させた低比誘電率層間絶縁膜材料
“ULKS Ver.3”の販売を開始

2009年11月30日　株式会社アルバック

　株式会社アルバック（本社　神奈川県茅ヶ崎市、社長　諏訪秀則）は、次世代LSIに用いる配線絶縁膜として、プラズマダメージ耐性を向上させた多孔質シリカを用いた低比誘電率層間絶縁膜材料“ULKS Ver.3”の販売を開始いたしますので発表させていただきます。

[背景]

　微細化に伴う配線間容量の増大を低減するため、配線形成における層間/配線間の絶縁膜には低い誘電率が求められております。低誘電率を実現することで配線の微細化が進めば、ULSIの飛躍的な高機能化と低消費電力化が可能で、今後需要が益々拡大することが期待されています。従来の層間絶縁膜であるSiO₂に空孔を導入して比誘電率を低減する多孔質シリカにおいては、機械的強度に優れるという利点がありますが、配線加工時のプラズマダメージによる特性変化の抑制が重要な課題とされてきました。

[特長]

　今回販売開始する低比誘電率層間絶縁膜は、既発表の低比誘電率層間絶縁膜“ULKS Ver.2”（注）に改良を加えることにより、配線加工時のプラズマによる特性変化を抑制した多孔質シリカ膜です。この多孔質シリカ膜は、比誘電率が2.0、2.2、2.4と3水準あり、ヤング弾性率が比誘電率2.0の場合でも5 GPa以上となっております。作製方法は、塗布、ソフトベーク、UVキュアと簡易であり、短タクトプロセスとなっております。プラズマダメージ耐性は、市販されているCVD法により成膜された比誘電率2.5の層間絶縁膜と同程度に改善されております。この多孔質シリカ膜は、次世代の低比誘電率層間絶縁膜“ULKS Ver.3”として販売いたします。

注）: 商品名ULKS Ver.1は、2006年7月に販売開始の機械的強度の高い低比誘電率層間絶縁膜材料で、ULKS Ver.2は、2008年12月に販売開始の成膜時間を短縮して空孔径を低減した低比誘電率層間絶縁膜材料です。

[販売開始日]

　32nｍノード以降のLSI向け、あるいは各種装置・プロセスの開発用として、多孔質シリカ低比誘電率層間絶縁膜塗布溶液および膜付きSiウェーハの販売を2010年1月より開始します。